特許
J-GLOBAL ID：200903004096416386

半導体発光素子

発明者：
堂免 恵

堂免 恵 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204471
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051074
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子に関し、レーザ発振に必要なしきい値電流密度を低減する。【解決手段】 基板1上に低温バッファ層2を設けるとともに、低温バッファ層2の直上に設ける成長層3をInGaN、AlInN、或いは、AlGaInNのいずれかとし、且つ、成長層3の格子定数を活性層5の格子定数より大きくする。
請求項（抜粋）：
基板上に低温バッファ層を設けるとともに、前記低温バッファ層の直上に設ける成長層をInGaN、AlInN、或いは、AlGaInNのいずれかとし、且つ、前記成長層の格子定数を活性層の格子定数より大きくすることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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