特許

J-GLOBAL ID：200903004173374969

半導体装置

発明者： 村田 智洋 ,  廣瀬 裕 ,  田中 毅
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-343857
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190988
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】コンタクト層における不純物活性化率及び電子の移動度が高く、コンタクト抵抗及び寄生抵抗が小さいオーミック電極を備えた半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、基板11の上に形成された活性層13と、活性層13の上に形成された超格子層14と、超格子層14の上に形成されたオーミック電極15とを備えている。超格子層14は、第1の薄膜及び該第1の薄膜と分極特性が異なり且つ第1の薄膜と比べてバンドギャップが大きい半導体からなる第2の薄膜とが交互に積層されている。第1の薄膜の上面と第2の薄膜の下面とが接する界面領域又は第1の薄膜の下面と第2の薄膜の上面とが接する界面領域には、不純物がドープされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、第1の薄膜及び該第1の薄膜と分極特性が異なり且つ該第1の薄膜と比べてバンドギャップが大きい第2の薄膜とが交互に積層されてなる超格子層と、 前記超格子層の上に形成された電極とを備え、 前記第1の薄膜の上面と前記第2の薄膜の下面とが接する界面領域又は前記第1の薄膜の下面と前記第2の薄膜の上面とが接する界面領域には、不純物がドープされたドープ領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (15件)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN08 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS02 ,  5F102GT05 ,  5F102HC04 ,  5F102HC24

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-140251   出願人：松下電器産業株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-330221   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-288709   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-088973   出願人：日本電気株式会社
• ドープIII-V族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-581267   出願人：クリーインコーポレイテッド