特許
J-GLOBAL ID：200903004176610140

半導体チップの製造方法

発明者：
高祖 大輔

高祖 大輔 について

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河原 伸一郎

河原 伸一郎 について

, 
横井 淳二

横井 淳二 について


出願人/特許権者：
ニッタ株式会社

ニッタ株式会社 について


代理人 (1件)： 深井 敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-186278
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013039
出願日： 2004年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 たとえ厚さが50μm以下の薄い半導体チップであっても、ダイシングやピックアップ、搬送の過程でクラップやチッピング等が発生することのない半導体チップの製造方法を提供することである。 【解決手段】 支持体と、この支持体の片面に形成される側鎖結晶化可能ポリマーを主成分とする粘着剤層とから構成される第1の感温性粘着シートを、半導体ウェハの回路面に貼着する工程と、前記第1の感温性粘着シートを貼着した前記半導体ウェハに、前記第1の感温性粘着シートの支持体側から、完成時の半導体チップの厚さより大きい深さの切り込み溝を形成するダイシング工程と、前記第1の感温性粘着シートが貼着され切り込み溝を形成した前記半導体ウェハの回路面と反対の面を半導体チップの厚さまで研削して、半導体チップを得るバックグラインド工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持体と、この支持体の片面に形成される側鎖結晶化可能ポリマーを主成分とする粘着剤層とから構成される第1の感温性粘着シートを、半導体ウェハの回路面に貼着する工程と、 前記第1の感温性粘着シートを貼着した前記半導体ウェハに、前記第1の感温性粘着シートの支持体側から、完成時の半導体チップの厚さより大きい深さの切り込み溝を形成するダイシング工程と、 前記第1の感温性粘着シートが貼着され切り込み溝を形成した前記半導体ウェハの回路面と反対の面を半導体チップの厚さまで研削して、半導体チップを得るバックグラインド工程と、 前記第1の感温性粘着シートを貼着した前記半導体チップの回路面と反対面を、ダイボンド用接着剤にてダイボンドするダイボンド工程と、 前記第1の感温性粘着シートの粘着力を低下させ、前記半導体チップの回路面から前記第1の感温性粘着シートを剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ,  C09J 7/02 ,  C09J 201/00 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/50
FI (8件)：
H01L21/78 Q ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00 ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/50 A ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 P ,  H01L21/78 Y
Fターム (16件)：
4J004AB01 ,  4J004AB03 ,  4J004CA03 ,  4J004CA04 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CC02 ,  4J004FA04 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040JA09 ,  4J040JB09 ,  4J040NA20 ,  4J040PA23 ,  4J040PA42
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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