特許
J-GLOBAL ID:200903055216326428

ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-197291
公開番号(公開出願番号):特開平11-040520
出願日: 1997年07月23日
公開日(公表日): 1999年02月12日
要約:
【要約】【課題】ダイシング時におけるチッピングを防止できるウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】半導体素子が形成されたウェーハ21上に格子状に配置されたダイシングラインに沿って上記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝22を形成し、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持用のシート26を貼り付け、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する特徴としている。ウェーハの裏面を研削及び研磨することによってウェーハを個々のチップに分離するので、ハーフカット法でダイシングした後、外力を加えて分割する方法やフルカット法でシートまで切り込んで切断し、分離する従来の方法に比してダイシングの際のチッピングを抑制できる。
請求項(抜粋):
半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、上記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝を形成する工程と、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持部材を貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備することを特徴とするウェーハの分割方法。
引用特許:
審査官引用 (11件)
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