特許
J-GLOBAL ID：200903004178882113

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
吉田 浩

吉田 浩 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242204
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077785
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 迷光を低減することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 サファイアよりなる基板11の一面に、n型AlGaNよりなるn型クラッド層25b,InGaNよりなる活性層26およびp型AlGaNよりなるp型クラッド層27cなどを積層した構造部20を形成する。n側電極12およびp側電極14を構造部20に対して基板11の反対側に設ける。基板11の他面には金属などよりなる吸収部15を設け、活性層26における発光波長以下の波長を有する光を吸収することができるようにする。パッケージに収納して用いても、吸収部15により迷光を吸収することができるので、迷光を低減することができる。
請求項（抜粋）：
順次積層された第1導電型半導体層,活性層および第2導電型半導体層をそれぞれ有すると共に、積層方向に対して垂直な方向に位置する側面と、積層方向の一方に位置し第1導電型半導体層よりなる第1面と、積層方向の一方に位置し第2導電型半導体層よりなる第2面と、積層方向の他方に位置する第3面とをそれぞれ有し、活性層において光を発生する構造部と、この構造部の第1面に設けられた第1の電極と、前記構造部の第2面に設けられた第2の電極と、前記構造部の側面側および第3面側のうちの少なくとも一部に設けられ、前記構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/30 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Fターム (17件)：
5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA27
引用特許：
審査官引用 (5件)
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