特許
J-GLOBAL ID：200903004196136119

走査型トンネル顕微鏡を用いたサンプル表面の電子スピン状態の制御方法及びそのビット読み出し方法

発明者：
武笠 幸一

武笠 幸一 について

, 
澤村 誠

澤村 誠 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252200
公開番号（公開出願番号）：特開平11-094857
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 物質表面のスピンを、メモリの最小ビットとして使用することに着目し、走査型トンネル顕微鏡を用いたサンプル表面の電子スピン状態の制御方法及びそのビット読み出し方法を提供する。【解決手段】 物質表面に付着したサンプル分子の多重度を、走査型トンネル顕微鏡の探針とサンプル表面間で電子や原子のやり取りを行うことにより、制御する。分子の多重度は一旦決定すると、励起しても変化せず、安定したスピン状態を保持することができる。ここで異なる多重度を持つ分子はその電子状態が異なり、したがって、他の分子(物質)を近づけた時、両者の形成する分子間ポテンシャルは多重度により変化する。この性質を利用して、原子間力顕微鏡の探針2でサンプル表面1を観測する時、多重度の違いにより探針2にかかる力の違いが生ずる。この走査型トンネル顕微鏡による表面状態の変化と原子間力顕微鏡による観測を使うことにより、サンプル表面1に多重度の制御を行うことができる。
請求項（抜粋）：
(a)走査型トンネル顕微鏡探針をサンプル表面構造単位に近づけ、該サンプル表面を正にバイアスして前記探針の素材のイオン化エネルギー以上の電界を与えることにより、電子を前記探針から前記サンプル表面へ放出し、サンプル表面構造単位の電子数を制御し、(b)前記サンプル表面を負にバイアスして該サンプル表面構造単位のイオン化エネルギー以上の電界を与えることにより、電子を前記サンプル表面から前記探針に放出し、前記サンプル表面構造単位の電子数を制御し、(c)電子数の違いによる前記サンプル表面構造単位のビット化を行うことを特徴とする走査型トンネル顕微鏡を用いたサンプル表面の電子スピン状態の制御方法。
IPC (2件)：
G01N 37/00 ,  G01B 21/30 101
FI (2件)：
G01N 37/00 B ,  G01B 21/30 101 Z
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)

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