3-5族化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321716
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185043
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電極の取り付けは容易で、しかも光取り出し効率の向上した3-5族化合物半導体を用いた発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】一般式Inx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を用い、発光層と基板を有する発光素子を製造するに当り、発光層を光の反射機能を持つ2つの層により挟み、該2つの層のうち少なくとも1つの層が一般式Ga1-a Ala N(0≦a≦1)で表され、かつ互いに混晶比の異なる2種類の層の繰り返しからなる積層とし、かつ該反射機能を持つ2つの層で挟んだ領域に含まれる層の屈折率と厚さを、発光波長との間に式(1)が成立するように調整し、かつ発光層の位置が光の電場が最大になるように調整することを特徴とする3-5族化合物半導体発光素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式Inx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を用い、発光層と基板を有する発光素子を製造するに当り、発光層を光の反射機能を持つ2つの層により挟み、該2つの層のうち少なくとも1つの層が一般式Ga1-a Ala N(0≦a≦1)で表され、かつ互いに混晶比の異なる2種類の層の繰り返しからなる積層とし、かつ該反射機能を持つ2つの層で挟んだ領域に含まれる層の屈折率と厚さを、発光波長との間に式(1)(ただし、dは各層の厚さ、nは各層の発光波長における屈折率、λは発光波長、mは1以上の整数、添え字iは発光層の番号、添え字jは上下の反射機能を持つ構造に挟まれた領域に含まれる発光層以外の層の番号を表し、Σは添え字番号について和をとることを意味する。)が成立するように調整し、かつ発光層の位置が光の電場が最大になるように調整することを特徴とする3-5族化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (9件)：

5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA58 , 5F041CB15 , 5F073AA89 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB14

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-082869 出願人：株式会社日立製作所
青色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-114542 出願人：日亜化学工業株式会社
垂直共振器型面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032475 出願人：松下電器産業株式会社

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