特許
J-GLOBAL ID：200903004271998164

エピプロセスを用いたSOI基板の表面仕上げ

発明者：
カン・シェン・ジー

カン・シェン・ジー について

, 
マリク・イゴー・ジェイ

マリク・イゴー・ジェイ について


出願人/特許権者：
シリコン ジェネシス コーポレイション

シリコン ジェネシス コーポレイション について


代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-612989
公開番号（公開出願番号）：特表2002-542622
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2002年12月10日
要約：
【要約】基板上に規定され得るシリコンなどの材料膜(2101)の処理方法。この方法は、酸化物表面または境界面(2305)上にあり、所定の表面粗さ値を特徴とする劈開面(2404)を備える基板(2201)を設けることを含む。基板は、劈開面(2404)から規定された水素担持粒子の分布を有する。この方法は、所定の表面粗さ値を約50パーセントおよびそれ以上下げるために、劈開面(2404)をエッチャント担持環境(2401)に維持しながら、劈開面(2404)の温度を約1,000°Cよりも高い温度まで上昇させることをさらに含む。この値は、実施形態に応じて、約80または90パーセントおよびそれ以上下げられることが好ましい。
請求項（抜粋）：
所定の表面粗さ値を特徴とする劈開面をもつ基板を設けることと、 前記所定の表面粗さ値を約50パーセント以上下げるために、前記劈開面を水素担持環境に維持しながら、前記劈開面の温度を約1,000°Cを超える温度に上昇させることとを含む材料膜の処理方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/324
FI (3件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/324 X ,  H01L 21/302 N
Fターム (14件)：
5F004AA11 ,  5F004BA19 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA06 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA20 ,  5F004DA24 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004EB08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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