特許

J-GLOBAL ID：200903004291756450

透光性電極用膜及びIII族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 上村 俊也 ,  堀内 茂美
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181020
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015811
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【目的】 III族窒化物系化合物半導体発光素子の最上層の半導体層からプロセス中に殆ど剥離しない透光性電極用膜を提供する。【構成】 III族窒化物系化合物半導体素子の最上層を被覆する金を含む透光性電極用膜が、最上層の上に形成される第1の層であって、金よりもイオン化ポテンシャルの小さい第1の金属を含み、その膜厚が15Å以下である第1の層と、この第1の層の上に形成される金を含む第2の層であって、該第2の層中に金よりもイオン化ポテンシャルの小さい第2の金属が含まれている第2の層と、を備えてなる。

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体素子のp型層上に設けられる透光性電極用膜であって、前記p型層の上に形成される層で、金又は白金よりもイオン化ポテンシャルの小さい第1の金属で、その膜厚が15Å以下である第1の層と、該第1の層の上に形成される金又は白金からなる第2の層とを備えてなる透光製電極用膜。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 B

Fターム (24件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92

引用特許：

審査官引用 (4件)

• p型窒化ガリウム系化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いた発光素子並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038699   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-019748   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 3族窒化物半導体の電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307156   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-160886   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所