特許
J-GLOBAL ID：200903073747489788

窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について

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柴田 直樹

柴田 直樹 について

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伊藤 潤

伊藤 潤 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について

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株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019748
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209493
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】GaN 系化合物半導体のp型低抵抗化と電極の合金化における特性を良好とすること。【解決手段】GaN のn+ 層13、n型GaN のクラッド層14、発光層15、Mgの添加されたAlGaN のクラッド層16、Mgの添加されたGaN のコンタクト層17、透光性電極18A、電極18Bを有する発光素子の製法において、n+ 層13の上側にある層の一部をエッチングして、n+ 層13の表面を露出させ、コンタクト層17上に透光性電極18Aを形成し、n+ 層13の露出面に電極18Bを形成し、少なくとも酸素を含むガス中において、500〜600°Cの範囲で熱処理し、p型低抵抗化と合金化処理を同時に行う。低い温度でも極めて良好な低抵抗が得られる。
請求項（抜粋）：
p型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法において、p型不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体を少なくとも酸素を含むガス中において、熱処理することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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