半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-241885
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179065
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】水素を用いた半導体ウエハの気相処理プロセスにおいて、気相処理装置から排出される排ガス中の水素を安全に除害する技術を提供する。【解決手段】半導体基板の主面に形成された膜厚が5nm以下のゲート酸化膜上に少なくとも金属膜を含む導電膜を堆積した後、前記導電膜をパターニングしてMOSFETのゲート電極を形成する工程と、触媒作用によって水素と酸素とから生成され、かつ酸化膜形成の再現性および酸化膜厚の均一性が制御可能となるような低濃度の水蒸気を含む水素ガスを所定の温度に加熱された前記半導体基板の主面またはその近傍に供給し、前記半導体基板の主面を選択的に酸化することによって、前記ゲート電極の側壁端部のプロファイルを改善する工程と、酸化処理後の排ガスに含まれる水素を触媒によって酸素と反応させて除害する工程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に形成された膜厚が5nm以下のゲート酸化膜上に少なくとも金属膜を含む導電膜を堆積した後、前記導電膜をパターニングしてMOSFETのゲート電極を形成する工程と、触媒作用によって水素と酸素とから生成され、かつ酸化膜形成の再現性および酸化膜厚の均一性が制御可能となるような低濃度の水蒸気を含む水素ガスを所定の温度に加熱された前記半導体基板の主面またはその近傍に供給し、前記半導体基板の主面を選択的に酸化することによって、前記ゲート電極の側壁端部のプロファイルを改善する工程と、酸化処理後の排ガスに含まれる水素を触媒によって酸素と反応させて除害する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/324 , H01L 21/28 301 , H01L 21/31 , H01L 21/76 , H01L 21/768 , H01L 21/8234 , H01L 21/8242 , H01L 27/088 , H01L 27/108 , H01L 29/78

FI (10件)：

H01L 21/324 R , H01L 21/28 301 R , H01L 21/31 Z , H01L 21/76 L , H01L 21/90 C , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 671 Z , H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 681 F , H01L 27/08 102 C

Fターム (112件)：

4M104BB01 , 4M104EE20 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032BA02 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA74 , 5F033HH08 , 5F033HH33 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033PP15 , 5F045AA20 , 5F045BB20 , 5F045DP01 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EG07 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BC19 , 5F048BC20 , 5F048BE03 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF04 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA19 , 5F048DA27 , 5F083AD01 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA03 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR12 , 5F083PR18 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083PR42 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR46 , 5F083PR52 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083PR56 , 5F083ZA06 , 5F140AB03 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BD18 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF03 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG41 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG50 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK30 , 5F140CA02 , 5F140CA06 , 5F140CA08 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-132136
絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-122699 出願人：大見忠弘
低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-306905 出願人：大見忠弘

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