特許
J-GLOBAL ID:200903004310465373

真空遮断器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-230923
公開番号(公開出願番号):特開2004-071435
出願日: 2002年08月08日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】遮断特性と再点弧特性の優れた真空遮断器を提供する。【解決手段】真空遮断器の接点を、15〜85重量%のCu相から成る導電性成分と、残部としてのCrを主成分とする耐弧性成分とを含む合金からなり、昇温過程でのCu相の摂氏で測定した溶融開始温度T1と、少なくとも1200°Cに加熱した後の冷却過程での、Cu相の摂氏で測定した凝固開始温度T2との差(T1-T2)値と、溶融開始温度T1との比率、すなわち、[(T1-T2)/(T1)]比率を、3.5%以下とする。これにより、遮断特性と再点弧特性とを両立させることができる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
15〜85重量%のCu相から成る導電性成分と、残部としてのCrを主成分とする耐弧性成分とを含む合金からなり、昇温過程での前記Cu相の摂氏で測定した溶融開始温度T1と、少なくとも1200°Cに加熱した後の冷却過程での、前記Cu相の摂氏で測定した凝固開始温度T2との差(T1-T2)値と、前記溶融開始温度T1との比率、すなわち、[(T1-T2)/(T1)]比率が、3.5%以下である接点材料から成る接点を備えたことを特徴とする真空遮断器。
IPC (1件):
H01H33/66
FI (1件):
H01H33/66 B
Fターム (4件):
5G026BA01 ,  5G026BB02 ,  5G026BB14 ,  5G026BC04
引用特許:
審査官引用 (11件)
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