特許
J-GLOBAL ID：200903004314405197

半導体装置

発明者：
黒田 尚孝

黒田 尚孝 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-078167
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231729
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】熱電変換を効果的に行うことが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、主表面に発熱源11が形成された半導体チップ10と、半導体チップ10が信号バンプ13を介してフリップチップ実装されたモジュール基板16と、半導体チップ10の主表面の最高温度領域の近傍に接続された高温側端子15aと、低温側端子15bとを有するゼーベック素子15と、低温側端子15bに接続された放熱部19とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面に半導体素子が形成された半導体チップと、 前記半導体チップが金属バンプを介してフリップチップ実装されたモジュール基板と、 前記半導体チップの主表面の最高温度領域の近傍に接続された高温側端子と、低温側端子とを有する熱電変換素子と、 前記低温側端子に接続された放熱部と、 を備える半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/38 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/32
FI (3件)：
H01L23/38 ,  H01L35/30 ,  H01L35/32 A
Fターム (9件)：
5F136BB11 ,  5F136BC02 ,  5F136BC03 ,  5F136DA16 ,  5F136DA17 ,  5F136DA21 ,  5F136EA13 ,  5F136FA16 ,  5F136JA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)

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