特許
J-GLOBAL ID：200903069864717263

電子回路構造、該構造を備える電子機器、熱起電力発生方法、補助電力発生方法、及び半導体ベアチップ

発明者：
中村 安仁

中村 安仁 について


出願人/特許権者：
エヌイーシーコンピュータテクノ株式会社

エヌイーシーコンピュータテクノ株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-055595
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234913
出願日： 2006年03月01日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】半導体ベアチップが用いられている電子機器の消費電力を低減すると共に冷却手段を簡素化する。【解決手段】半導体ベアチップ1の内部に形成されている熱電変換素子層4により、ヒートシンク2と集積回路層3との間の温度差に対応してゼーベック効果に基づく熱起電力が発生し、同熱起電力が電源変換器7で所定の電源電圧に変換され、同電源電圧がPWB6を介して半導体ベアチップ1内の集積回路層3に還元されて印加される。このため、熱電変換素子層4に発生した熱起電力が電源部の補助電源として作用し、電子機器の消費電力が低減される。さらに、半導体ベアチップ1から発生する熱の一部が熱電変換素子層4により電力に変換され、ヒートシンク2により放熱させる熱量が少なくなるため、同ヒートシンク2やモータファンが比較的小型のもので良く、冷却手段の構成を簡素化できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ベアチップの一方の主表面が配線基板に接続され、他方の主表面が熱電変換素子層を介して冷却手段に接続される電子回路構造であって、 前記熱電変換素子層は、 p型半導体とn型半導体とからなると共に、前記p型半導体と前記n型半導体との第1の接続部位が、動作時の前記半導体ベアチップに温められて高温側となり、かつ、前記p型半導体と前記n型半導体との第2の接続部位が、前記冷却手段に冷やされて低温側となることにより、熱起電力を発生して出力する構成とされていることを特徴とする熱起電力発生機能を有する電子回路構造。
IPC (3件)：
H01L 35/30 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/38
FI (3件)：
H01L35/30 ,  H01L23/36 Z ,  H01L23/38
Fターム (4件)：
5F136AA10 ,  5F136BA00 ,  5F136CB03 ,  5F136JA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 電子装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-180328   出願人：日本電気株式会社
  • 電力変換装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-189179   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-139573   出願人：松下電器産業株式会社
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審査官引用 (8件)
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