特許
J-GLOBAL ID：200903004315689954
電界効果型半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015216
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214406
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、金(Au)電極、、白金(Pt)電極とパッシベーション膜との密着性の問題を解決し、半導体装置の信頼性向上を図ることを目的とする。【解決手段】 この発明は、少なくともAuまたはPtを含む高融点金属をショットキー電極11としてSiC半導体層3上に設けた電界効果型半導体装置において、電極11は、半導体側とは逆の最表面に酸化性が比較的大きい金属膜10が設けられた多層積層膜で構成される。
請求項（抜粋）：
少なくともAuまたはPtを含む高融点金属をショットキー電極としてSiC半導体層上に設けた電界効果型半導体装置において、前記電極は、半導体側とは逆の最表面に酸化性が比較的大きい金属膜が設けられた多層積層膜であることを特徴とする電界効果型半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/027
, H01L 29/872
H01L 29/80 M
, H01L 21/30 573
, H01L 29/48 H
