基板の処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：金本哲男 , 亀谷美明 , 萩原康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262248
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080277
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】ウエハ上に形成されたレジストパターンのストライエーションを改善してエッチング処理後のパターンの形状を適切なものとする。【解決手段】パターンの露光処理の後に現像処理が行われる基板の処理方法において,現像処理後のレジストパターン110の側壁部111が溝側に膨出し,かつレジストパターンの底部の角隅部115に,溝側に膨出してかつ溝側に凹に湾曲する膨出部116が形成されるように,レジストパターン形状を整形する整形工程を有する。側壁部111を膨出させることでストライエーションが改善し,エッチング処理後の形状が好適なものとなる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

パターンの露光処理の後に現像処理が行われる基板の処理方法において, 現像処理後のレジストパターンの側壁部が溝側に膨出し, かつレジストパターンの底部の角隅部に,溝側に膨出してかつ溝側に凹に湾曲する膨出部が形成されるように,レジストパターン形状を整形する整形工程を有することを特徴とする,基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/32 , G03F 7/40

FI (3件)：

H01L21/30 570 , G03F7/32 501 , G03F7/40 511

Fターム (7件)：

2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096GA18 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

現像処理方法及び現像処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-158490 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (8件)

特開平1-179322
現像方法およびデバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-370643 出願人：株式会社ニコン
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-261335 出願人：株式会社東芝

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