特許
J-GLOBAL ID：200903098473777997
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-103921
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294354
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 現像時の溶液によるレジストパターンに対する表面張力を十分に低減して、微細化されたレジストパターンのパターン倒れを防止できるようにする。 【解決手段】 基板101上にレジスト膜102を形成し、形成したレジスト膜102に露光光103を選択的に照射してパターン露光を行なう。その後、パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対して現像を行なうことにより、レジスト膜102から第1のレジストパターン102aを形成する。続いて、第1のレジストパターン102aのパターン形状を変形させるアルカリ水溶液106に第1のレジストパターン102aをさらすことにより、該第1のレジストパターン102aの上端の角部が丸められた第2のレジストパターン102bを形成し、形成した第2のレジストパターン102bを純水よりなるリンス液107によりリンスする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、前記レジスト膜から第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンのパターン形状を変形させる溶液に前記第1のレジストパターンをさらすことにより、前記第1のレジストパターンが変形した第2のレジストパターンを形成する工程と、
形成した前記第2のレジストパターンを純水によりリンスする工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 569F
, G03F7/30
2H096AA25
, 2H096GA17
, 2H096GA18
, 2H096GA60
, 5F046LA03
, 5F046LA12
, 5F046LA14
, 5F046LA18
