特許
J-GLOBAL ID：200903082988671497

レジスト・パターン形成方法

発明者：
山下 正美

山下 正美 について


出願人/特許権者：
鹿児島日本電気株式会社

鹿児島日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087297
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282422
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 リフローにより形成する変形レジスト・パターンを精度よく形成し得るレジスト・パターン形成方法を提供する。【解決手段】 レジスト・パターン11をソース電極14aとドレイン電極14b上に形成してから、露出した表面領域17、18の濡れ性を調整するための表面処理を行う。その後、レジスト・パターン11が可溶な溶剤の蒸気に暴露する等により、レジスト・パターン11の表面から溶剤を浸透させてリフローを施す。これにより、Si膜12をエッチングしてSiアイランド12aを形成するための変形レジスト・パターン11aを形成する。
請求項（抜粋）：
(a) 第1膜の上に第2膜を形成する工程と、(b) 前記第2膜の上に第1レジスト・パターンを形成する工程と、(c) 前記第1レジスト・パターンを用いて前記第2膜を選択的にエッチングする工程と、(d) 前記第2膜または前記第1膜の前記第1レジスト・パターンより露出した露出部の少なくとも一部について、濡れ性を調整する工程と、(e) 有機溶剤を用いて前記第1レジスト・パターンをリフローさせることにより、前記第1レジスト・パターンを前記露出部の濡れ性を調整した部分にまで延在させ、もって前記第1膜あるいは前記第2膜を選択的にエッチングするための第2レジスト・パターンを形成する工程とを備えてなるレジスト・パターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/40 511
FI (3件)：
G03F 7/20 521 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570
Fターム (4件)：
2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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