半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , , , ,
代理人 (1件)：眞鍋潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-002683
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203914
出願日： 2002年01月09日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路装置及びその製造方法に関し、低温プロセスによって相互接続用凹部の内側壁に拡散防止膜を確実に被着させる。【解決手段】上下の電極を接続する相互接続用凹部を不純物含有多結晶シリコンより低抵抗の金属からなる相互接続導体3で埋め込むとともに、相互接続用凹部の内側壁と相互接続導体3との間に無電解メッキ膜からなる拡散防止膜4を設ける。

請求項（抜粋）：

上下の電極を接続する相互接続用凹部を不純物含有多結晶シリコンより低抵抗の金属からなる相互接続導体で埋め込むとともに、前記相互接続用凹部の内側壁と相互接続導体との間に無電解メッキ膜からなる拡散防止膜を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , H01L 27/00 301

FI (6件)：

H01L 21/28 301 C , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/288 Z , H01L 27/00 301 C , H01L 21/88 J , H01L 21/88 R

Fターム (60件)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD55 , 4M104FF01 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG15 , 4M104HH04 , 4M104HH05 , 5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ15 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033KK04 , 5F033LL04 , 5F033LL06 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033MM30 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (5件)

無電解メッキ処理方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-269893 出願人：ソニー株式会社
無電解メッキ浴および導電膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-345380 出願人：ソニー株式会社
半導体フィーチャを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-098341 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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審査官引用 (3件)

無電解メッキ処理方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-269893 出願人：ソニー株式会社
無電解メッキ浴および導電膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-345380 出願人：ソニー株式会社
半導体フィーチャを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-098341 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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