特許
J-GLOBAL ID：200903004392070320

多結晶シリコン層の成長方法、単結晶シリコン層の成長方法および触媒CVD装置

発明者：
矢元 久良

矢元 久良 について

, 
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-232135
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151422
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 触媒CVD法により、含有金属不純物濃度が極めて低い多結晶シリコン層や単結晶シリコン層を成長させる。【解決手段】 触媒CVD法により多結晶シリコン層や単結晶シリコン層を成長させる場合に、少なくとも表面が窒化物からなる触媒体を用いる。触媒体にタングステンを用いる場合には窒化物として窒化タングステンを形成する。窒化物は、成長前に触媒体の表面をアンモニアなどの窒素を含む雰囲気中において1600〜2100°C前後の高温に加熱して窒化することにより形成する。触媒体を使用温度または窒化温度に加熱する際には触媒体を水素雰囲気に保つ。
請求項（抜粋）：
基板上に触媒CVD法により多結晶シリコン層を成長させるようにした多結晶シリコン層の成長方法であって、少なくとも表面が窒化物からなる触媒体を用いて上記多結晶シリコン層を成長させるようにしたことを特徴とする多結晶シリコン層の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/06 504
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/06 504 Z
Fターム (27件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ09 ,  4G077TC05 ,  4G077TC16 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AF07 ,  5F045AF08 ,  5F045AF17 ,  5F045BB14 ,  5F045DP05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
  • 成膜方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-021388   出願人：ソニー株式会社
  • 特開昭62-202896

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