窒化物系半導体素子、窒化物系半導体素子の製造方法、GaN基板及びGaN基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089267
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286446
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】製造歩留まりが良く、量産性に優れた構成の窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】 GaN基板1上に窒化物系の発光素子層9を有する窒化物系半導体素子において、GaN基板1はMgがドーピングされており、そのドーピング量が1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下の範囲であり、且つ前記GaN基板1の厚みが100μm以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaN基板上に窒化物系の半導体素子層を有する窒化物系半導体素子において、前記GaN基板はp型のドーパントがドーピングされており、そのドーピング量が1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下の範囲であり、前記GaN基板の厚みが100μm以上であることを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

Fターム (9件)：

5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA77 , 5F073CA02 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-037827 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335580 出願人：エルジー電子株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-143478 出願人：株式会社リコー

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