特許
J-GLOBAL ID：200903004460570965
電気特性変転性素材で形成された電荷マップ型メモリアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-317990
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152596
出願日： 2008年12月15日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】情報を安定且つ確実に記憶できるデバイスを複雑な構成の回路や高機能素材なしで実現する。【解決手段】データライン20に接続されたトランジスタ12にコンデンサ16を直列接続し、そのトランジスタ12のゲートをゲートライン18に接続し、コンデンサ16の他端を基準ライン22に接続する。コンデンサ16又はトランジスタ12を形成する素材又はその一部、例えばコンデンサ16内の誘電体、トランジスタ12内の半導体素材、トランジスタ12内の誘電体等を、バイアスの印加等で使用先デバイスに電気特性変化をもたらしまたその変化を持続させる電気特性変転性素材とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
データライン、コンデンサ並びにそれらの間に接続されたトランジスタを備え、
コンデンサ又はトランジスタを形成する素材に電気特性変転性素材が含まれるメモリセルアレイ。
IPC (4件)：
H01L 27/10
, H01L 27/28
, H01L 51/05
, G11C 13/00
H01L27/10 451
, H01L27/10 449
, G11C13/00 Z
5F083FZ07
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083GA27
, 5F083JA60
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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