有機メモリ装置及びそのためのドライバ回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-501546
公開番号（公開出願番号）：特表2006-519483
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

本発明は有機メモリ装置及びそのためのドライバ回路に関する。有機メモリ装置は、双安定に切り換え可能な材料を有するか、あるいは2つのOFETを直列に接続し、一つのOFETをコンデンサとその低電位側で並列に接続して、そのコンデンサが放電OFETと並列に接続され、第2のOFETによって充電されるようにした回路を備える。

請求項（抜粋）：

(誘電率、電気伝導率及び/又は透磁率などの)特性を双安定に切り換えることができる、少なくとも一つの双安定に切り換え可能な有機機能層を有する有機ベースのメモリ装置。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 27/28

FI (8件)：

H01L27/10 444A , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/28 100B , H01L27/10 444B , H01L27/10 449

Fターム (17件)：

5F083FR01 , 5F083FR05 , 5F083FR06 , 5F083FZ07 , 5F083HA02 , 5F083JA60 , 5F110AA16 , 5F110BB08 , 5F110BB20 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG42 , 5F110HK32 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭60-113474
強誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに強誘電体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-394958 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平2-239664

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