MOS型電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-034263
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237590
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】歪Si/SiGe構造(または歪Si/SiGeC構造)を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Geの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。【解決手段】チャネル領域が表面から順にSi層(2)および、SiGeまたはSiGeC層(3)からなる積層構造を有し、該チャネル領域の両端面には低温化学気相成長法により形成された所望の導電形を与える高濃度不純物原子を含むSiGeまたはSiGeCからなるソース層(4)およびドレイン層(5)が接しており、SiGeまたはSiGeCからなる該ソース層およびドレイン層の表面は、ゲート電極(6)の底部位置より上方にせり上げられた形状を有するMOS型電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を介して形成されたゲート電極がチャネル領域の電気導通を制御するMOS型電界効果トランジスタであって、前記チャネル領域が表面から順にSi層および、SiGeまたはSiGeC層からなる積層構造を有し、前記チャネル領域の両端に気相成長法により形成された所望の導電形を与える高濃度不純物原子を含むSiGeまたはSiGeCのいずれかからなるソース層およびドレイン層がそれぞれ接しており、前記ソース層およびドレイン層の上面は前記ゲート電極の底部位置より上方にあることを特徴とするMOS型電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/205 , H01L 21/225 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 21/205 , H01L 21/225 D , H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 E

Fターム (42件)：

5F040DA10 , 5F040DA14 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EC08 , 5F040EE05 , 5F040EF09 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FA10 , 5F040FC06 , 5F040FC09 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AF03 , 5F045BB06 , 5F045BB07 , 5F045CA05 , 5F045DA52 , 5F045HA13 , 5F110AA03 , 5F110AA04 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110HK08 , 5F110HK34 , 5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体素子のトランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-194453 出願人：現代電子産業株式会社

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