特許
J-GLOBAL ID:200903004508906090
ポリシロキサン系構造体およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 高畑 ちより
, 鈴木 亨
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-099987
公開番号(公開出願番号):特開2007-270053
出願日: 2006年03月31日
公開日(公表日): 2007年10月18日
要約:
【課題】本発明は高い温度で使用可能なプロトン伝導性材料、およびそのプロトン伝導性材料を物性が安定した、簡便な工程で製造する方法を提供すること。【解決手段】硫酸およびリン酸のうちから選ばれる少なくとも1つの酸と、アミノ基(NH2-)、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、および含窒素複素環基のうちから選ばれる少なくとも1つの含窒素塩基性有機基を有する下記一般式(1)で表されるシラン化合物とを含む溶液を、前記酸の総モル数と前記含窒素塩基性有機基に含まれる窒素原子の総モル数との比(酸/窒素原子)が0.6〜1.5の範囲となるように混合し、ゲルを作製し、前記ゲルを乾燥することにより得られるポリシロキサン系構造体。(AR')n-Si-(OR)4-n ・・・・(1)【選択図】図1
請求項(抜粋):
硫酸およびリン酸のうちから選ばれる少なくとも1つの酸と、アミノ基(NH2-)、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、および含窒素複素環基のうちから選ばれる少なくとも1つの含窒素塩基性有機基を有する下記一般式(1)で表されるシラン化合物とを含む溶液を、
前記酸の総モル数と前記含窒素塩基性有機基に含まれる窒素原子の総モル数との比(酸/窒素原子)が0.6〜1.5の範囲となるように混合し、
ゲルを作製し、
前記ゲルを乾燥することにより得られるポリシロキサン系構造体。
(AR')n-Si-(OR)4-n ・・・・(1)
[式中、Aはアミノ基(NH2-)、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、および含窒素複素環基のうちから選ばれる少なくとも1つの含窒素塩基性有機基、Rは炭素数が1〜6であるアルキル基、またはアリール基を示し、R'は炭素数が1〜6である2価の有機基またはAとSiとの直接結合を示し、nは1または2を示す。]
IPC (3件):
C08G 77/26
, H01B 1/06
, B01D 71/70
FI (3件):
C08G77/26
, H01B1/06 A
, B01D71/70 500
Fターム (37件):
4D006GA41
, 4D006LA06
, 4D006MA03
, 4D006MB07
, 4D006MB15
, 4D006MC65X
, 4D006NA01
, 4D006NA64
, 4D006PB27
, 4D006PC80
, 4J246AA03
, 4J246AB13
, 4J246BA12X
, 4J246BA140
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246CA76X
, 4J246CA760
, 4J246CA770
, 4J246FA071
, 4J246FA131
, 4J246FA421
, 4J246FB041
, 4J246GB05
, 4J246GC55
, 4J246HA68
, 5G301CD01
, 5G301CE01
, 5H026AA06
, 5H026BB01
, 5H026BB03
, 5H026BB08
, 5H026CX05
, 5H026EE18
, 5H026HH05
, 5H026HH06
, 5H026HH08
引用特許:
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