化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-367932
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136001
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】電流コラプスを低減させてRF特性を改善し、携帯電話基地局用アンプに必要とされる耐圧を得ることを可能とする。【解決手段】 AlGaN層3を成長形成するに際して、i-GaN層2上にノンドープでAl組成率が15%程度のAlGaN層(i-AlGaN層)11を膜厚3nm程度に成長し、更にSiを濃度2×1018/cm3程度にドープしたAl組成率が15%程度のAlGaN層(n-AlGaN層)12を膜厚17nm程度に成長し、これら2層構造からなるAlGaN層3を形成する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

電子走行層となる第1の窒化物半導体層と、電子供給層となり、Alを含有する第2の窒化物半導体層と、 Alの含有量が0又は前記第2の窒化物半導体層よりも少ない第3の窒化物半導体層とが基板上に順次成長してなる積層体を含み、前記第3の窒化物半導体層は、その表面から深さ2nm以内における窒素空孔率が20%以下とされてなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/338 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , H01L21/28 301B

Fターム (43件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD68 , 4M104GG12 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045CA07 , 5F045DA62 , 5F045EE12 , 5F102FA01 , 5F102FA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GL08 , 5F102GL15 , 5F102GL16 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GM09 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

電界効果型化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164908 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (5件)

電界効果型化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164908 出願人：富士通株式会社
半導体ウェハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-336984 出願人：日立電線株式会社
窒化物半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-245134 出願人：ソニー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

GaN電子デバイスの表面安定化と絶縁ゲート構造 Insulated-eate and surface-nassivation structures fo

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