特許
J-GLOBAL ID：200903004577459623
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299339
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 配線パターンの側面にまで表面めっき被膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 電極端子の表面と保護膜4上に、第1の金属膜(チタン)6と第2の金属膜7を順次形成し、さらに溝部8bを有するレジストパターン8aを形成する。溝部8bから露出する第2の金属膜7上に配線パターン用のめっき被膜9を形成し、レジストパターン8aを除去して第2の金属膜7をエッチングして除去し、めっき被膜9の表面と第2、第1の金属膜7,6の表面に、第1の金属膜6との密着性よりもめっき被膜9および第2の金属膜7との密着性に優れた金属からなる表面めっき被膜10を形成する。表面めっき被膜10の表面に粘着性テープを貼着・剥離して第1の金属膜6上の表面めっき被膜10を除去し、表面めっき被膜10をマスクとして第1の金属膜6をエッチングして除去する。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極端子形成面に、電極端子が露出するように絶縁性の保護膜が形成されると共に、該保護膜上に前記電極端子と電気的に接続する配線パターンが形成された半導体装置の製造方法において、前記保護膜から露出する電極端子の表面および前記保護膜上に、チタン若しくはクロムからなる第1の金属膜を形成する工程と、該第1の金属膜上に配線パターンの下地層となる第2の金属膜を形成する工程と、該第2の金属膜上に、形成すべき配線パターンの部位のレジストを除去して前記第2の金属膜が底面に露出した溝部を有するレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとして、前記溝部の底面に露出する前記第2の金属膜上に電解めっきにより配線パターンとなるめっき被膜を形成する第1のめっき工程と、前記レジストパターンを除去することにより露出する前記第2の金属膜部分をエッチングして除去する工程と、前記配線パターンとなるめっき被膜の表面とその下層の前記第2の金属膜と前記第1の金属膜の表面に、該第1の金属膜との密着性よりも前記配線パターンとなるめっき被膜および前記第2の金属膜との密着性に優れた金属からなる表面めっき被膜を形成する第2のめっき工程と、該表面めっき被膜の表面に粘着性を有するテープを貼着して、該テープを剥離することによって、前記第1の金属膜上に被着された前記表面めっき被膜部分を除去する工程と、前記表面めっき被膜をマスクとして、前記表面めっき被膜部分を除去することにより露出する前記第1の金属膜部分をエッチングして除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 21/3205
H01L 21/92 604 M
, H01L 21/88 T
5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033KK08
, 5F033MM08
, 5F033MM11
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ00
, 5F033QQ08
, 5F033QQ27
, 5F033QQ30
, 5F033RR04
, 5F033RR22
, 5F033TT04
, 5F033XX05
, 5F033XX20
