半導体装置の製造方法及びこれに用いる低温熱処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041589
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308406
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】本発明は、デバイス・チップの実装不良を回避すると共に、電気的検査の測定精度の向上やメンテナンス時間の短縮をも可能とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Al系電極パッド2にBLM膜5を介して接続するハンダ膜パターン7aを形成し、これらBLM膜5とハンダ膜パターン7aとをオーミック接続させるための低温短時間熱処理を行った後、先端部の径10μmφ、針圧(オーバードライブ量)20μmの条件でハンダ膜パターン7aに測定プローブP1を接触させて電気的検査を行う。ハンダ・ボール形成のためのウェットバックは電気的検査後に行うため、最終的なハンダ・ボール7cの仕上がり形状にプローブ痕8aの影響は何ら認められず、その高さの均一性は良好になる。従って、プリント配線基板上へのフリップチップ実装の際の実装不良が回避される。

請求項（抜粋）：

ハンダ・ボールを用いて実装基板上に実装されるデバイス・チップに対し、実装前に測定プローブの接触を伴う電気的検査を行う半導体装置の製造方法であって、前記デバイス・チップの電極パッド部に電気的に接続するハンダ膜パターンを選択的に形成する第1工程と、前記ハンダ膜パターンに前記測定プローブを接触させて前記電気的検査を行う第2工程と、加熱溶融処理により前記ハンダ膜パターンを収縮させて、前記ハンダ・ボールを形成する第3工程とを有することを特微とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/92 604 T , H01L 21/66 Z , H01L 21/66 E , H01L 21/92 604 C , H01L 21/92 604 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路装置およびその検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-118135 出願人：株式会社日立製作所
プローブカード
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-137957 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
半田バンプの形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-120122 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る