特許
J-GLOBAL ID：200903004579937417
ナノスケール及び原子スケール装置の製造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
相田 伸二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-523489
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534144
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
本発明は、ナノスケール及び原子スケールの装置の製作に関する。本方法は、一つ以上の登録マーカを生成することを含む。SEM又は光学顕微鏡を用いて、登録マーカ及び走査型トンネル顕微鏡(STM)のチップのイメージを形成する。該イメージを用いて、STMチップの位置決め及び再位置決めを行い、装置構造をパターニングする。該装置のアクティブ領域を形成してそれを、一つ以上の登録マーカが依然として見えるようにカプセル化し、表面電極を正確に位置決め出来るようにする。本方法は、量子ワイヤ、単一電子トランジスタ、アレイ又はゲート領域を含む多様な装置構造を形成するために使用することが出来る。本方法は、STMであとの層をパターニングしてその間をカプセル化することで3D装置を製造するのにも使用することが出来る。
請求項（抜粋）：
ナノスケール又は原子スケールの装置を製作する方法であり、該方法は、
走査型トンネル顕微鏡(STM)、走査電子顕微鏡(SEM)又は光学顕微鏡で見ることの出来る、一つ以上の登録マーカを(清浄な)シリコン表面上又は表面内に形成するステップ、
SEM又は光学顕微鏡を用いて、少なくとも一つの登録マーカと該登録マーカの付近の走査型トンネル顕微鏡(STM)のチップのイメージを生成するステップ、
該イメージを使用して、前記STMチップを前記登録マーカに対してナノメータ又はミクロンの分解能で相対的に位置決め、再位置決めして、前記シリコン表面上に装置構造の能動的な領域をパターニングするステップ、
該装置及び該装置をシリコンで、一つ以上の登録マーカが、SEM又は光学顕微鏡でシリコン表面上で見ることが出来るように、カプセル化するステップ、
前記シリコン表面上に金属層を、光学又は電子ビームリソグラフを用いて配置し、一つ以上の抵抗又はゲート電極、又は両方を、それぞれの登録マーカに対して位置決めされた一つ以上の場所に形成するステップ、
から構成される。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, B82B 3/00
, H01L 29/06
, H01L 21/22
H01L21/30 522
, B82B3/00
, H01L29/06 601D
, H01L29/06 601L
, H01L21/22 Z
5F046AA20
, 5F046AA28
, 5F046BA10
, 5F046EA12
, 5F046EA23
, 5F046EA26
, 5F046EA30
, 5F046EB01
, 5F046FA20
