特許
J-GLOBAL ID：200903004618125220

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
川口 佳伸

川口 佳伸 について

, 
近藤 雅文

近藤 雅文 について

, 
神川 剛

神川 剛 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-298361
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203162
出願日： 2005年10月13日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】金属の密着層のようにpn接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】III-V族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー100の前面側の共振器端面113に、六方晶の結晶からなる密着層115を積層し、密着層115に端面コート膜116を積層し、同様に背面側の共振器端面114にも六方晶半導体層からなる密着層118を積層し、密着層118に端面コート膜117を積層した構成とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体層と、前記III-V族窒化物半導体層に設けられた共振器と、前記共振器の端面に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、 前記共振器の端面と前記端面コート膜との間に六方晶の結晶からなる密着層を設けたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/028 ,  H01S 5/323 ,  C23C 14/06
FI (3件)：
H01S5/028 ,  H01S5/323 610 ,  C23C14/06 P
Fターム (35件)：
4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BA58 ,  4K029BA59 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC39 ,  4K029DC48 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AL03 ,  5F173AL05 ,  5F173AL12 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL16 ,  5F173AL21 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP73 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP82 ,  5F173AP87 ,  5F173AR68
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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