レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-225761
公開番号（公開出願番号）：特開2009-098638
出願日： 2008年09月03日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上あるいは低下するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤として一般式(1)の(a)、(b)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物とを含むレジスト材料。【効果】レジスト材料を用いて形成したレジスト膜は、水に対する良好なバリアー性能を有するため、レジスト膜の水への溶出を抑制でき、このため溶出物によるパターン形状変化を低減できる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸によってアルカリ溶解性が向上あるいは低下するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤として下記一般式(1)の(a)、(b)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物とを含むものであることを特徴とするレジスト材料。

IPC (7件)：

G03F 7/004 , G03F 7/038 , G03F 7/039 , G03F 7/38 , C08F 220/28 , C08F 232/00 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F7/004 501 , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , G03F7/38 501 , C08F220/28 , C08F232/00 , H01L21/30 502R

Fターム (74件)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB17 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA04 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 4J100AJ03R , 4J100AL24R , 4J100AL26P , 4J100AP01R , 4J100AR02Q , 4J100AR11Q , 4J100AR11R , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA04P , 4J100BA04Q , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA20Q , 4J100BA20R , 4J100BA56R , 4J100BB12Q , 4J100BB12R , 4J100BB17Q , 4J100BB17R , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100DA40 , 4J100FA19 , 4J100GC07 , 4J100GC17 , 4J100GC25 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (8件)

液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-132081 出願人：東京応化工業株式会社
米国特許6869744号明細書
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-196529 出願人：富士写真フイルム株式会社

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