特許
J-GLOBAL ID:200903041956949932
レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-065836
公開番号(公開出願番号):特開2007-140446
出願日: 2006年03月10日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】 良好な液浸リソグラフィーを可能とし、しかもフォトレジスト層の現像時に同時に除することができて、優れたプロセス適用性を有する液浸リソグラフィー用の保護膜材料、及びこのような材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (i)フッ素原子を1個以上含有するフッ素含有アルキル基もしくはフッ素含有アルキレン基を有する繰り返し単位と必要に応じてアルカリ溶解性の繰り返し単位を含むポリマーと、フッ素原子を含まないアルキル基を有する繰り返し単位と必要に応じてアルカリ溶解性の繰り返し単位を含むポリマーとのブレンド、又は(ii)フッ素原子を1個以上含有するフッ素含有アルキル基もしくはフッ素含有アルキレン基を有する繰り返し単位とフッ素原子を含まないアルキル基を有する繰り返し単位と必要に応じてアルカリ溶解性の繰り返し単位を含むポリマー、を含有するレジスト保護膜材料を提供する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
フッ素原子を1個以上含有するフッ素含有アルキル基もしくはフッ素含有アルキレン基を有する繰り返し単位を含むポリマーとフッ素原子を含まないアルキル基を有する繰り返し単位を含むポリマーとのブレンド、又は上記フッ素含有アルキル基もしくは上記フッ素含有アルキレン基を有する繰り返し単位と上記フッ素原子を含まないアルキル基を有する繰り返し単位を含むポリマーを含有するレジスト保護膜材料。
IPC (3件):
G03F 7/11
, H01L 21/027
, C08F 220/22
FI (3件):
G03F7/11 501
, H01L21/30 575
, C08F220/22
Fターム (24件):
2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025DA02
, 2H025FA17
, 4J100AC26P
, 4J100AJ03R
, 4J100AL08P
, 4J100AL26P
, 4J100AR11Q
, 4J100AR11R
, 4J100BA03P
, 4J100BA03R
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BB07R
, 4J100BB12P
, 4J100BB17Q
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BB18R
, 4J100BC04P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC04R
, 5F046NA19
引用特許:
出願人引用 (6件)
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特開昭62-62520号公報
-
特開昭62-62521号公報
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特開昭60-38821号公報
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-250201
出願人:旭硝子株式会社
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反射防止膜材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-088202
出願人:信越化学工業株式会社
-
特許第2803549号公報
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審査官引用 (6件)
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