特許
J-GLOBAL ID：200903004682639807

反射率測定によるエッジビード除去の検査

発明者：
エリザー・ロゼンガウス

エリザー・ロゼンガウス について


出願人/特許権者：
ケーエルエー-テンカー・テクノロジーズ・コーポレーション

ケーエルエー-テンカー・テクノロジーズ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-134986
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033177
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】 エッジビード除去の検査に適用することが可能であると共に、ウエハ上におけるレジストで覆われた領域と剥き出しのシリコン領域との間の画像コントラストを強調するための方法および装置を提供する。【解決手段】 シリコンまたはレジストのブリュースター角に近い照射角でs偏光成分およびp偏光成分を別々にウエハに照射し、s偏光成分の反射光とp偏光成分の反射光との間の画像差を得る。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
試料面上の第1の材料と第2の材料との間の画像コントラストを強調する方法であって、前記第1の材料および前記第2の材料は互いに大きく異なる屈折率を有し、前記方法は、 (a)視準照射光を前記試料面に向けて照射角で提供する工程であって、前記照射角は前記試料面の法線からの角度Θで表され、前記角度Θは照射角に等しい場合にs偏光とp偏光との間の反射率の比率が前記第1の材料と前記第2の材料とで大きく異なるように選択される、工程と、 (b)前記視準照射光のp偏光成分を前記試料面に当てるために、前記視準照射光を偏光させる工程と、 (c)前記試料面で反射された前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく反射光の画像を検出する工程と、 (f)前記第1の材料と前記第2の材料との間の前記画像コントラストを強調するために、前記視準照射光の前記p偏光成分に基づく前記反射光の画像を処理する工程と を備える方法。
IPC (3件)：
H01L21/66 ,  G01N21/956 ,  H01L21/027
FI (3件)：
H01L21/66 J ,  G01N21/956 A ,  H01L21/30 577
Fターム (17件)：
2G051AA51 ,  2G051AB12 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB01 ,  2G051CA04 ,  2G051CB01 ,  2G051EA08 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106BA05 ,  4M106CA38 ,  4M106DB07 ,  4M106DB08 ,  4M106DB14 ,  5F046JA27 ,  5F046LA19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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