特許
J-GLOBAL ID：200903004724825177
シリコン単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-130066
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306705
出願日： 2004年04月26日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】CZ法によるシリコン単結晶の製造において、歩留まりよく安定して、無欠陥部分の採取率をより高くできる製造方法の提供する。【解決手段】(1)CZ法によるシリコン単結晶の製造において、るつぼの回転速度を4min-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。不活性ガスとしてアルゴンガスを用い、その流量を90〜200L/minとすること、または/およびその流速を0.5〜8.0m/secとすることが望ましい。さらに、磁場強さが0.02〜0.09Tであるカスプ磁場を印加することができる。【選択図】なし。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、
るつぼの回転速度を4min-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C30B29/06 502K
, C30B29/06 502G
, C30B15/00 Z
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EA06
, 4G077EG21
, 4G077EH08
, 4G077EJ02
, 4G077HA12
, 4G077PA03
, 4G077PA04
, 4G077RA03
