プラズマ処理チャンバにおける単周波RF電力を用いたウェハ処理システム、処理装置、および処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-533336
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511097
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

本発明は、プラズマ処理チャンバにおいて、単周波RF電力を利用してウェハを処理するシステム、装置及び方法を提供する。プラズマ処理システムは、変調RF電力発生器、プラズマ処理チャンバ及び整合回路を含む。変調RF電力発生器は、変調RF電力を発生させる。プラズマ処理チャンバは、ウェハを処理するための変調RF電力を受け取るために配置され、プラズマ処理における内部インピーダンスによって特徴づけられる。プラズマ処理チャンバは、ウェハを処理位置に保持するための静電チャックを有し、静電チャックは、変調RF電力を受け取るためにウェハの下に設置された第1の電極を有する。プラズマ処理チャンバはさらに、ウェハ上に設置される第2の電極を有する。変調RF電力は、ウェハを処理するためのプラズマ及びイオン衝撃エネルギを生成する。整合回路は、変調RF電力発生器からの変調RF電力をプラズマ処理チャンバに送出するために、変調RF発生器とプラズマチャンバの間に結合される。整合回路はさらに、変調RF電力発生器のインピーダンスとプラズマ処理チャンバの内部インピーダンスの整合をとる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

単周波RF電力を用いてウェハを処理するためのプラズマ処理システムであって、変調RF電力を発生する変調RF電力発生器と、前記ウェハを処理するための前記変調RF電力を受け取とるプラズマ処理チャンバであって、そのプラズマ処理チャンバは前記プラズマ処理における内部インピーダンスによって特徴づけられ、前記ウェハを処理位置に保持するための静電チャックを有し、その静電チャックは前記ウェハの下に配置された前記変調RF電力を受け取るための第1の電極を含み、前記プラズマ処理チャンバはさらに、前記ウェハ上に第2の電極を有し、プラズマおよびイオン衝突エネルギが、前記変調RF電力に応じて前記ウェハを処理するために生成されるプラズマ処理チャンバと、前記変調RF電力発生器と前記プラズマ処理チャンバの間に接続され、前記変調RF電力発生器から前記変調RF電力を受け取り、前記プラズマ処理チャンバへ送出するための整合回路であって、さらに、前記変調RF電力発生器のインピーダンスと、前記プラズマ処理チャンバの内部インピーダンスの整合をとる整合回路とを備えるプラズマ処理システム。

IPC (5件)：

H01L21/3065 , B01J19/08 , C23C16/505 , H01L21/205 , H05H1/46

FI (5件)：

H01L21/302 101B , B01J19/08 H , C23C16/505 , H01L21/205 , H05H1/46 M

Fターム (32件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BA05 , 4G075BA06 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075CA25 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EB01 , 4G075EB42 , 4G075EC21 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030KA41 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BA14 , 5F004BB11 , 5F004BB22 , 5F004BD04 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F045AA08 , 5F045AA20 , 5F045BB01 , 5F045EH01 , 5F045EH14 , 5F045EH20

引用特許：

審査官引用 (7件)

プラズマ処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-289044 出願人：日新電機株式会社
プラズマ処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-283664 出願人：国際電気株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-212027 出願人：東京エレクトロン株式会社

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