特許
J-GLOBAL ID:200903004884775540
半導体装置およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-008720
公開番号(公開出願番号):特開2008-177316
出願日: 2007年01月18日
公開日(公表日): 2008年07月31日
要約:
【課題】空乏化を生じず、また、製造工程における酸化、薬液による腐食、含有する金属による熱処理装置の汚染を抑えることのできるゲート電極を有し、且つトランジスタのオン電流の低下を抑えることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 29/78
, H01L 21/28
, H01L 29/41
, H01L 29/423
, H01L 29/49
FI (4件):
H01L29/78 301G
, H01L21/28 301R
, H01L29/44 S
, H01L29/58 G
Fターム (73件):
4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB19
, 4M104BB20
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB24
, 4M104BB25
, 4M104BB26
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB29
, 4M104BB30
, 4M104BB31
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104BB34
, 4M104BB39
, 4M104CC05
, 4M104DD91
, 4M104EE03
, 4M104EE09
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104FF13
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104HH20
, 5F140AA30
, 5F140AA39
, 5F140AB01
, 5F140BC06
, 5F140BD04
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BD13
, 5F140BE07
, 5F140BE08
, 5F140BE10
, 5F140BF05
, 5F140BF07
, 5F140BF08
, 5F140BF10
, 5F140BF11
, 5F140BF14
, 5F140BF21
, 5F140BF28
, 5F140BF38
, 5F140BF40
, 5F140BG09
, 5F140BG10
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG15
, 5F140BG28
, 5F140BG38
, 5F140BG52
, 5F140BG53
, 5F140BH14
, 5F140BH21
, 5F140BK02
, 5F140BK13
, 5F140BK21
, 5F140CB04
, 5F140CB08
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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