半導体装置の製造方法およびその半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-255745
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150000
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】不純物としてホウ素を含むイオンをゲート、ソース及びドレイン領域に注入した接合が浅い半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基盤101上にN型ウェル102及びP型ウェル、ゲート絶縁膜103、ポリシリコンゲート領域104、エクステンション部を順次形成する。次いで、ポリシリコンゲート領域104及びウェル上に同時に、2塩化ホウ素イオン等の質量数が50以上のホウ素を含むイオンを注入して熱処理を行うことにより、ソース領域及びドレイン領域107を形成し、イオンを活性化させる。高温で瞬時加熱を行う及び/又はイオン注入の前後にケイ素等のイオンを注入してアモルファス化を図ることにより、イオンの活性化率を向上させる。

請求項（抜粋）：

以下の工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。(a)シリコン基盤上にゲート絶縁膜を、前記ゲート絶縁膜の上にゲート領域を、前記シリコン基盤の上に前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート領域に接する側壁を、それぞれ形成する工程と、(b)前記ゲート領域及びシリコン基盤に質量数が50以上のホウ素を含む化合物イオンを注入する工程と、(c)前記ゲート領域及び前記シリコン基盤を加熱して、前記シリコン基盤内にソース領域及び/又はドレイン領域を形成するとともに、前記注入されたイオンを活性化させる工程。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/265 Z , H01L 21/265 602 B , H01L 21/265 604 G , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-109213 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-325485 出願人：富士通株式会社
特開平4-316322

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