特許
J-GLOBAL ID：200903004894446251
電界放射型電子源の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326273
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134008
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】大面積化が可能で、電子放出量が高く且つ表面電極の断線や表面電極と下部電極との間の短絡を防止することが可能な電界放射型電子源の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板11の一表面上に断面台形状の下部電極8を形成した後、多結晶シリコン層3を堆積し、陽極酸化処理にて下部電極8上の部位を多孔質化して多孔質多結晶シリコン層を形成し、多孔質多結晶シリコン層を酸化することで強電界ドリフト層6のドリフト部6aを形成する。下部電極8は、絶縁性基板11上に形成したレジスト層20へ下部電極8のパターンに対応し且つ絶縁性基板11に逆テーパ状の開口断面の溝21を開口した後、絶縁性基板11の一表面側の全面に導電性層18をスパッタ法により成膜し、リフトオフによりレジスト層20およびレジスト層20上の導電性層18を除去することで形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、基板の一表面上に列設された複数の下部電極と、各下部電極の表面側に各下部電極にそれぞれ重なる形で形成された複数の酸化若しくは窒化した多孔質半導体層よりなるドリフト部およびドリフト部の間を埋める分離部を有する強電界ドリフト層と、強電界ドリフト層上において下部電極に交差する方向に列設された複数の表面電極とを備え、表面電極を下部電極に対して正極として電圧を印加することにより下部電極から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源の製造方法であって、下部電極の形成にあたっては、基板の前記一表面上の全面にレジスト層を形成した後、レジスト層へ下部電極のパターンに対応し且つ基板に近づくほど開口幅が徐々に大きくなるテーパ状の開口断面の溝を開口し、次に、基板の前記一表面側の全面に導電性層を成膜し、その後、リフトオフによりレジスト層およびレジスト層上の導電性層を除去することにより基板の前記一表面上にパターニングされた導電性層よりなる断面台形状の下部電極を形成することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
引用特許：
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