特許
J-GLOBAL ID：200903004902267922

GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板

発明者：
西岡 志行

西岡 志行 について

, 
上松 康二

上松 康二 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-156717
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308356
出願日： 2007年06月13日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】HVPE法による結晶成長面が{1-100}面であるGaN結晶の結晶成長において、結晶成長速度が高く厚い結晶を効率良く成長させる方法を提供する。【解決手段】本GaN結晶の成長方法は、主面が{1-100}面である1つ以上のGaN結晶下地基板を準備する工程と、GaN結晶下地基板の主面上にGaN結晶をその結晶成長面が{1-100}面となるように成長させる工程とを含み、GaN結晶を成長させる工程において、結晶成長温度x°Cが1080°C以上1160°C以下であり、結晶成長速度yμm/hrと結晶成長温度x°Cとの関係が以下の式(1)および(2) y≧0.0352x2-75.659x+40737 (1) y≦0.0782x2-165.95x+88121 (2)を満たす。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
主面が{1-100}面である1つ以上のGaN結晶下地基板を準備する工程と、前記GaN結晶下地基板の前記主面上にハイドライド気相成長法によりGaN結晶をその結晶成長面が{1-100}面となるように成長させる工程とを含み、 前記GaN結晶を成長させる工程において、結晶成長温度x°Cが1080°C以上1160°C以下であり、結晶成長速度yμm/hrと前記結晶成長温度x°Cとの関係が以下の式(1)および(2) y≧0.0352x2-75.659x+40737 (1) y≦0.0782x2-165.95x+88121 (2) を満たすGaN結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205
Fターム (29件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TB04 ,  4G077TC06 ,  4G077TC10 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045GB19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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