半導体プロセスチャンバの洗浄方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090297
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033289
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】主たる前駆物質試薬としてのフッ素分子(F2)ガスを用いて、半導体プロセスチャンバを洗浄する方法を提供する。【解決手段】主たる前駆物質試薬としてのフッ素分子(F2)ガスを用いて、半導体プロセスチャンバの内面から残留物を除去する方法である。一の実施形態では、フッ素分子の一部がプラズマで分解されてフッ素原子が生成され、生じたフッ素原子とフッ素分子との混合ガスが、内面を洗浄すべきチャンバに供給される。他の実施形態では、フッ素分子ガスは、プラズマ励起なしで半導体プロセスチャンバ内を洗浄する。フッ素分子ガスは、従来チャンバ洗浄に用いられたNF3、C2F6、SF6といったフッ素含有ガス化合物と違って、地球温暖化ガスではないという利点を有する。

請求項（抜粋）：

半導体プロセスチャンバの内部にさらされるチャンバ構成部品の一又はそれ以上の表面から残留物を除去するための方法であって、一又はそれ以上のガスを含む混合ガス、ここで、ガスの一つは分子モル濃度で混合ガスの少なくとも50%を構成するフッ素分子である、をプラズマチャンバに供給するステップと、フッ素分子をフッ素原子に分解するためにプラズマチャンバ内でプラズマを形成するステップと、少なくとも前記フッ素原子の一部を半導体プロセスチャンバの内面にさらすステップと、を備える方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , B08B 5/00 , B08B 7/00 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/205 , B08B 5/00 Z , B08B 7/00 , H01L 21/302 N

Fターム (26件)：

3B116AA47 , 3B116BB82 , 3B116BB89 , 3B116BC00 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA03 , 5F004DA00 , 5F004DA02 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045BB15 , 5F045EB06 , 5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (4件)

高出力遠隔励起源を用いた堆積チャンバクリーニング技術
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-290256 出願人：アプライドコマツテクノロジー株式会社
ゲルマニウム、ゲルマニウム含有化合物のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-183615 出願人：セントラル硝子株式会社
成膜装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-196936 出願人：セントラル硝子株式会社

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