半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-071521
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250792
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】電極または金属配線と所望の絶縁膜とを密着でき、所望の低リーク電流特性および高耐圧特性を得ることができること。【解決手段】この発明にかかるHEMT100は、基板1の上部に形成された化合物半導体層の電子供給層5の上部に、ソース電極6とゲート電極7とドレイン電極8と絶縁膜9,10とを有する。ソース電極6、ゲート電極7、およびドレイン電極8と絶縁膜10との各接合界面には窒化物系の接合膜11a,11d,11cが形成され、ゲート電極7と絶縁膜9との接合界面には窒化物系の接合膜11bが形成される。接合膜11a,11d,11cは、ソース電極6、ゲート電極7、およびドレイン電極8と絶縁膜10とをそれぞれ接合する。接合膜11bは、ゲート電極7と絶縁膜9とを接合する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電極または金属配線を形成する金属部と該金属部を絶縁または保護する絶縁膜とを有する半導体素子において、前記金属部と前記絶縁膜との接合界面に形成され、前記金属部と前記絶縁膜とを接合する窒化物系の接合膜を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (10件)：

H01L 21/283 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 23/522 , H01L 21/768 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (7件)：

H01L21/283 C , H01L21/28 301B , H01L29/44 Y , H01L29/48 D , H01L29/48 E , H01L21/90 M , H01L29/80 H

Fターム (82件)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB27 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD34 , 4M104EE02 , 4M104EE05 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M104GG12 , 4M104HH09 , 5F033GG02 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH30 , 5F033JJ00 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK30 , 5F033MM08 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033TT02 , 5F033WW02 , 5F033XX14 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC11

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-366328 出願人：古河電気工業株式会社
高電子移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-323750 出願人：古河電気工業株式会社
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-327654 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (8件)

特開昭53-136482
特開昭53-136482
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-125913 出願人：松下電器産業株式会社

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