特許
J-GLOBAL ID：200903004779804217

半導体電子デバイス

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について

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佐々木 正行

佐々木 正行 について

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寺島 一高

寺島 一高 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-366328
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129856
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 ピンチオフ特性に優れた窒化物系化合物半導体を用いた電子デバイスを提供することにある。【解決手段】 窒化物系化合物半導体から成る電子デバイスの基板上にバッファ層としてBPを含む薄い層と含まない薄い層を交互に複数積層し、格子不整合に基づく膜厚方向に垂直に延びる転位欠陥の成長を抑え、さらにバッファ層中のバンドギャップエネルギーの小さい方の層への2次元電子ガスの蓄積を抑えることによってリーク電流の発生を抑制する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体を用いた半導体電子デバイスにおいて、少なくとも基板と、バッファ層、電子走行層、電子供給層及び電極とを有し、 前記バッファ層は、組成式Ga1-cBcPdN1-d(0<c≦1、0<d≦1)から成る第1の層と、組成式 AlxInyGa1-x-yAsuPvN1-u-v(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1、0≦u<1、0≦v<1、u+v<1)から成る第2の層を含み、かつ前記バッファ層中の2次元電子ガス密度が5×1012cm-2以下であることを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (4件)：
H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (33件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC00 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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