半導体装置およびICカード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-268618
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086286
出願日： 2004年09月15日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】不揮発性メモリにおいて、メモリアレイの面積の増大を抑えて、記憶情報の書き換えの信頼性を向上させることのできる技術を提供する。【解決手段】ソースSを共有し、対称の位置にある2つのメモリセルM00およびM10に対して別個のビット線BL0およびビット線BL1をそれぞれ接続して、1つのメモリセルM00(またはメモリセルM10)が占有する領域のチャネル幅方向の幅に対して2本のメタル配線(ビット線BL0およびビット線BL1)を配置する。これに対し、2ワード分のメモリセルM00およびM10のメモリゲートMGと、コントロールゲートCGとをそれぞれ同電位として、2つのメモリセルM00およびM10が占有する領域のチャネル長方向の長さに対して3本のメタル配線(コントロールゲート制御線CG0、メモリゲート制御線MG0および共通ソース線SL0)を配置する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

MIS・FETを含んで構成される複数のメモリセルが2次元格子状に配列されたメモリアレイを備える半導体装置であって、ソースを共有し、第1方向に沿って対称の位置に隣接する第1メモリセルおよび第2メモリセルと、前記第1メモリセルのドレインと前記第2メモリセルのドレインとに、それぞれ別個に電気的に接続されたビット線と、複数の前記第1メモリセルに共通の第1ゲートと、前記第1ゲートと同電位である複数の前記第2メモリセルに共通の第2ゲートと、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 27/10 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , G11C 16/04 , G11C 16/02 , G11C 16/06 , G06K 19/07

FI (9件)：

H01L27/10 434 , H01L27/10 461 , H01L29/78 371 , G11C17/00 622A , G11C17/00 621Z , G11C17/00 611G , G11C17/00 634G , G11C17/00 612F , G06K19/00 N

Fターム (50件)：

5B035AA02 , 5B035BA03 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA11 , 5B035CA23 , 5B035CA29 , 5B125BA03 , 5B125BA08 , 5B125CA06 , 5B125CA11 , 5B125EA01 , 5B125EB02 , 5B125EB05 , 5B125EB06 , 5B125ED07 , 5B125FA01 , 5B125FA07 , 5B125FA10 , 5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP25 , 5F083EP33 , 5F083EP35 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP75 , 5F083EP77 , 5F083ER02 , 5F083ER14 , 5F083ER17 , 5F083ER22 , 5F083GA09 , 5F083GA21 , 5F083JA35 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083ZA13 , 5F083ZA23 , 5F101BA01 , 5F101BA45 , 5F101BB04 , 5F101BB05 , 5F101BC11 , 5F101BD07 , 5F101BD22

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体処理装置及びICカード
公報種別：再公表公報出願番号：JP2002008757 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

審査官引用 (6件)

半導体不揮発性メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-010950 出願人：ソニー株式会社
特開平4-003470
半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-115924 出願人：株式会社日立製作所

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