特許
J-GLOBAL ID：200903045590181748
犠牲層を用いた微細構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182398
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107339
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】犠牲層を用いた微細構造体を製造する時、犠牲酸化膜除去により発生する微細構造体の固着現象を防止しようとする。【解決手段】犠牲層をポリシリコン膜上に形成し、犠牲層を蒸気相エッチング方法で除去し、残留物の発生を防止すると共に、犠牲層除去による空間に上部構造体が沈没して発生する固着現象を防止する。
請求項（抜粋）：
基板上から隔てられたシリコン微細構造体を製造するために犠牲層の酸化膜を用いるマイクロマシニング工程において、前記犠牲層酸化膜の除去時、無水HFとメタノールとの蒸気を含む蒸気相雰囲気でエッチングして除去する段階を含むことを特徴とする犠牲層酸化膜を用いた微細構造体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 49/00
, H01L 21/3065
, H01L 21/306
H01L 49/00 Z
, H01L 21/302 J
, H01L 21/302 P
