特許

J-GLOBAL ID：200903005057268821

基板における銅層の研磨方法

発明者： 宮入 広雄 ,  稲田 安雄 ,  長谷川 毅 ,  寺島 優二 ,  酒井 謙児 ,  北村 忠浩 ,  梅田 剛宏
出願人/特許権者： 不二越機械工業株式会社 ,  株式会社フジミインコーポレーテッド
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360423
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257910
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 研磨速度を上げられ、また基板における銅層の厚さの均一性が得られ、かつ銅層表面のスクラッチの発生を抑制することができ、また銅バンプの研磨においては高さの均一性が得られる基板における銅層の研磨方法を提供する。【解決手段】 バッキング材に、アスカーC硬度が75〜95度で圧縮率が10%以下の素材からなるバッキング材を用い、研磨液に、銅のキレート剤と、銅に対するエッチング剤と、銅の酸化剤と、水とを含む研磨液を用いることを特徴とする。研磨液に、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素および酸化ジルコニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種類の研磨材砥粒を含ませるとさらに好適である。

請求項（抜粋）：

銅層を形成した基板を、研磨パッドを有する定盤の研磨パッド上に銅層を研磨パッド側に向けて供給し、該基板をバッキング材を介して加圧ヘッドにより荷重し、研磨パッド上に研磨液を供給しつつ前記加圧ヘッドと定盤とを相対回転させて銅層を研磨する基板における銅層の研磨方法において、前記バッキング材に、アスカーC硬度が75〜95度で圧縮率が10%以下の素材からなるバッキング材を用い、前記研磨液に、銅のキレート剤と、銅に対するエッチング剤と、銅の酸化剤と、水とを含む研磨液を用いることを特徴とする基板における銅層の研磨方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/04

FI (9件)：

H01L 21/304 622 K ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 G ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  B24B 37/04 E ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/04

Fターム (9件)：

3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 銅系金属用研磨液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-232825   出願人：株式会社東芝
• 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-238767   出願人：株式会社東芝, 多摩化学工業株式会社
• 半導体ウェハの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-084455   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-033762   出願人：信越半導体株式会社, 直江津電子工業株式会社, 三益半導体工業株式会社, 長野電子工業株式会社