特許
J-GLOBAL ID：200903005169957085

半導体デバイスの製造方法

発明者：
松井 二三雄

松井 二三雄 について

, 
稲垣 宗明

稲垣 宗明 について


出願人/特許権者：
昭和高分子株式会社

昭和高分子株式会社 について


代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228411
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 製造工程における気泡の巻き込みが防止され、効率の良い半導体デバイスの製造方法の提供。【解決手段】 多数のキャビティ内部に機能素子を配置した多連キャビティ回路基板に、所定の厚さに成形された熱硬化性樹脂シートを、基板のキャビティを覆うように積層する積層工程と、シートを溶融するとともにその溶融樹脂を各キャビティ内に充填する充填工程と、溶融樹脂を硬化させる硬化工程と、を含み、積層工程に使用される熱硬化性樹脂シートが、基板の中央部に相当する部分で厚く、基板の周辺部に向かって薄くなっており、かつシートは基板の周辺部キャビティ全部を覆わない程度のサイズであり、充填工程で溶融樹脂が基板の周辺部に向かって流動するようにした製造方法。
請求項（抜粋）：
上面を開放した多数のキャビティを有しかつ前記キャビティ内部に機能素子を配置した多連キャビティ回路基板に、所定の厚さに成形された熱硬化性樹脂シートを、前記多連キャビティ回路基板のキャビティを覆うように積層する積層工程と、前記熱硬化性樹脂シートを溶融するとともにその溶融樹脂を各キャビティ内に充填する充填工程と、前記溶融樹脂を硬化させる硬化工程と、を含む半導体デバイスの製造方法において、前記積層工程に使用される熱硬化性樹脂シートが、前記多連キャビティ回路基板の中央部に相当する部分で厚く、前記多連キャビティ回路基板の周辺部に向かって薄くなっており、かつ前記熱硬化性樹脂シートは前記多連キャビティ回路基板の周辺部キャビティ全部を覆わない程度のサイズであり、前記充填工程で溶融樹脂が前記多連キャビティ回路基板の周辺部に向かって流動するようにした、ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56 ,  C08F283/01 ,  C08G 59/20 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01L 21/56 E ,  C08F283/01 ,  C08G 59/20 ,  H01L 33/00 N
Fターム (29件)：
4J027AB05 ,  4J027AB06 ,  4J027AB07 ,  4J027AB16 ,  4J027AB18 ,  4J027AB23 ,  4J027AB24 ,  4J027BA22 ,  4J027CB03 ,  4J027CC02 ,  4J027CD06 ,  4J036AA01 ,  4J036AJ08 ,  4J036DA01 ,  4J036DA10 ,  5F041AA41 ,  5F041DA03 ,  5F041DA08 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA46 ,  5F041DA83 ,  5F041FF01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA02 ,  5F061CA10 ,  5F061CA26 ,  5F061FA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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