半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395494
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270510
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】従来に比較して、ランニングコストの低いレーザ照射装置およびそれを用いたレーザ照射方法において、従来と同程度、もしくはそれ以上の大きさの粒径の結晶粒を有する結晶質半導体膜を形成し、その結晶質半導体膜を用いてTFTを作製することにより、高速動作の可能なTFTを実現させることを目的とする。【解決手段】レーザを光源とする出力時間の短いレーザ光を半導体膜に照射する場合において、あるレーザ光に対して、他のレーザ光を遅延させ、これらを合成したレーザ光を半導体膜に照射することで、前記半導体膜の冷却速度を緩やかなものにし、出力時間の長いレーザ光を半導体膜に照射する場合と同等、もしくはそれ以上の大きさの粒径の結晶粒を有する結晶質半導体膜を形成することを可能とする。このような結晶質半導体膜を用いてTFTを作製することにより、高速動作の可能なTFTを実現させることができる。

請求項（抜粋）：

パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記複数のレーザ光のうち少なくとも1つのレーザ光を他のレーザ光より遅延させて形成されるレーザ光を半導体膜に照射することによって該半導体膜に対する照射時間を前記複数のレーザ光の各々の出力時間より延長し、前記半導体膜の結晶化または結晶性の向上を行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 , H01L 21/28 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01S 3/00

FI (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 J , H01L 21/28 F , H01S 3/00 A , H01L 29/78 627 G

Fターム (119件)：

2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA27 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD45 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F072AB01 , 5F072AB04 , 5F072AB05 , 5F072AB07 , 5F072AB15 , 5F072AB20 , 5F072JJ01 , 5F072JJ08 , 5F072JJ20 , 5F072KK05 , 5F072KK15 , 5F072KK30 , 5F072MM05 , 5F072MM08 , 5F072MM20 , 5F072PP01 , 5F072QQ02 , 5F072RR01 , 5F072RR03 , 5F072SS06 , 5F072YY08 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

レーザ照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-194270 出願人：セイコーエプソン株式会社
レーザ照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-276464 出願人：セイコーエプソン株式会社
レーザ熱処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-053340 出願人：株式会社東芝

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