特許

J-GLOBAL ID：200903005186135692

不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法

発明者： 朴起台 ,  崔正達
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-191918
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048429
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】高集積度の電荷トラップ型の不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】本発明の電荷トラップ型の3-レベル不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法は、それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、一組の第1〜第3ビットのデータを、一組をなす二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーとを備える。一つの電荷トラップ領域に1.5ビット、すなわち一つのメモリ素子に3ビットのデータ値を記憶する電荷トラップ領域を持つ。よって、集積度が著しく向上する。また、本発明の方法によれば、プログラム及び読出時の全体的な動作速度が非常に速い。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリ装置において、 それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、 一組の第1〜第3ビットのデータを、一組を成す二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーと、 前記メモリアレイの選択されたメモリ素子のワードラインを制御するローデコーダと、 を具備することを特徴とする、不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (7件)：

G11C 16/02 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06

FI (6件)：

G11C17/00 641 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  G11C17/00 622C ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 634G

Fターム (35件)：

5B125BA08 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125CA06 ,  5B125DB02 ,  5B125DB19 ,  5B125EA01 ,  5B125EA04 ,  5B125EA05 ,  5B125EB02 ,  5B125ED07 ,  5B125EE19 ,  5B125FA01 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BD34 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 非導電性のチャージトラップゲートを利用した多ビット不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226913   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-283495   出願人：富士通株式会社
• 半導体記憶装置、表示装置及び携帯電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-141908   出願人：シャープ株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234767   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-216280   出願人：株式会社東芝