特許
J-GLOBAL ID：200903005235245458
プラズマ密度情報測定方法およびその装置、並びにプラズマ密度情報監視方法およびその装置、並びにプラズマ処理方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-210770
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055324
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】プラズマ密度情報の測定、プラズマ密度情報の変化の監視、およびプラズマ処理を効率良く行うことができるプラズマ密度情報測定方法およびその装置、並びにプラズマ密度情報監視方法およびその装置、並びにプラズマ処理方法およびその装置を提供することを目的とする。【解決手段】測定プローブ7を、プラズマ処理に関する被処理物である基板Wよりも手前側に挿設可能に構成し、基板Wよりも手前側に挿設して配設することで、基板Wに対して測定プローブ7が影になり難く、プラズマ密度情報の測定、プラズマ密度情報の変化の監視、およびプラズマ処理を効率良く行うことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラズマの特性を示すプラズマ密度情報を測定するプラズマ密度情報測定方法であって、(a)前記プラズマ密度情報を測定するためのプローブであるプラズマ密度情報測定用プローブを、プラズマ処理に関する被処理物よりも手前側に挿設して配設する過程と、(b)前記プラズマ密度情報を測定するためのプラズマ密度情報測定用電源からプラズマ密度情報測定用電力をプラズマに供給する過程と、(c)前記被処理物より手前側に配設された前記プラズマ密度情報測定用プローブを用いて、プラズマ負荷による前記プラズマ密度情報測定用電力の反射または吸収に基づいてプラズマ密度情報を測定する過程とを備えることを特徴とするプラズマ密度情報測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05H1/00 A
, H01L21/302 103
4K030DA04
, 4K030FA01
, 4K030HA16
, 4K030KA39
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA14
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BD01
, 5F004BD03
, 5F004BD04
, 5F004CB05
, 5F004CB06
, 5F004CB16
