ESD用半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012090
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299463
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】静電気放電のための半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、マルチフィンガ構造のトランジスタと、トランジスタの共通ドレインの数に比例して複数本が形成され、各トランジスタの共通ドレインと各々連結される、互いに分離された多層配線と、多層配線上に形成され、多層配線全体にわたるパッド導電層と、トランジスタの共通ドレインから入力された電流が共通ドレインと連結された多層配線だけを通過してパッド導電層に流れるように多層配線の配線間及び多層配線とパッド導電層との間を連結する複数個のコンタクトプラグとを含む。これにより、マルチフィンガ構造をなすすべてのMOSFETの寄生バイポーラトランジスタをターンオンさせてESD現象時に大容量の電流を流すことができる。

請求項（抜粋）：

マルチフィンガ構造のトランジスタと、上記トランジスタの共通ドレインの数に比例して複数本形成され、上記各トランジスタの共通ドレインと各々連結され、互いに分離された多層配線と、上記多層配線上に、上記多層配線全体にわたって形成されたパッド導電層と、上記トランジスタの共通ドレインから入力された電流が上記共通ドレインと連結された上記多層配線だけを通過して上記パッド導電層に流れるように、上記多層配線の配線間及び上記多層配線とパッド導電層との間を連結する複数個のコンタクトプラグとを含むことを特徴とするESD用半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/822 , H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 27/06 311 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/06 311 C , H01L 27/04 H , H01L 29/78 301 K , H01L 21/88 Z , H01L 21/88 N

Fターム (47件)：

5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH25 , 5F033HH28 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033MM07 , 5F033NN34 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033UU04 , 5F033VV07 , 5F033VV09 , 5F038BH02 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AA07 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048CC01 , 5F048CC08 , 5F048CC10 , 5F048DA23 , 5F140AA38 , 5F140BF53 , 5F140BG34 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140BJ28 , 5F140BK34 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CA10 , 5F140CF04 , 5F140DA01 , 5F140DA05

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の保護素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-172414 出願人：三星電子株式会社
半導体装置における静電保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319480 出願人：日本電気株式会社
特開平3-248567

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